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深化产学研合作,建广、同济和瑞能三方设立联合实验室

2017-10-16 浏览次数:76
  来源:电子工程世界

集微网消息,近日,北京建广资产管理有限公司(“建广资产”)、同济大学和瑞能半导体有限公司,就设立联合实验室和推动半导体产业研究的合作框架,于9月22日在《核心技术产业与全球化高峰论坛》上举行了签约仪式。签约后三方将合作共建合作共建同济-建广-瑞能创新中心。

据悉,该创新中心将以市场需求为导向,发挥三方优势,建设教育培训中心与创新研究中心,打造集国际化人才培养与培训、 高新技术研发、科技创新和成果转化、人才交流合作于一体的产学研平台,服务于“中国制造 2025”国家战略。

一直以来,建广资产、瑞能半导体和同济大学一直有着良好的合作关系。在国家着力实施创新驱动发展战略,建设创新型国家的背景下,为更好的发挥三方在产业和技术领域的协同创新优势,进一步深化三方“资、产、学、研、用”的合作,本次签约主要包括以下内容:

首先,创新中心将打造完善的人才培养和流动制度。其一、围绕集成电路设计、制造、运营等专题开展高端项目技术与管理人才培训;同步与瑞能半导体合作开展电子信息领域专业师资培训。其二、三方将加强在人才培养领域的紧密合作。同济大学鼓励科研人员带着项目和成果,到建广资产、瑞能半导体及其附属产业开展创新实践工作,三方组织部门或人事部门将建立人才流动保障机制,促进科研人员和管理人员在校企间的合理流动。

这一举措将长期为我国半导体产业自主技术团队建设输出创新型人才。

其次,三方将以共建国际合作联合实验室、国际和企校合作项目为支撑,开展科学研究、 学科团队建设,学术交流活动。同时,发挥同济大学的学科科研优势,定期开展以问题为导向的应用课题研究,同时兼顾未来技术发展方向适当开展前瞻性技术研发。

在重点领域合作中,三方将充分整合国内外资源,用开放、包容的态度整合其他相关企业和科研院所,共同打造世界一流的集成电路研发、人才培养、自主创新与产业化的平台。据相关负责人介绍,创新中心的科研工作将重点在各类功率半导体器件研发、5G智能芯片研发、新型物联网芯片与应用技术研发、半导体制造领域信息技术研究及管理系统优化和工业大数据分析与应用等五个方面展开,相关项目成果将填补产业空白、为我国半导体产业发展提供支持。



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